JESD22偏压双85湿热试验机适用于半导体、芯片、光电产品的高温高湿试验，在半导体行业则需要做偏压湿热试验，偏压湿热试验属于老化试验的一种，老化测试（Burn-in）：是指对产品施加电压和温度应力，以便在早期阶段消除产品潜在缺陷的测试。封装后执行的老化测试被称为“老化中测试（TBDI）”。
偏压试验的5个试验要点：
试验设备：环仪仪器 JESD22偏压双85湿热试验机
试验要点：
1.试验背景
AEC-Q101标准：HTRB试验是AEC-Q101标准中的Group B加速寿命模拟试验的一部分，该标准广泛用于汽车级、工业级和军用级半导体器件的测试。
军用级参考：HTRB试验方法参考了MIL-STD-750方法1038条件A（适用于二极管、整流器和齐纳管）和M1039条件A（适用于晶体管）。
2.试验目的
缺陷识别：HTRB旨在识别制造过程中产生的潜在缺陷，这些缺陷在未进行老化处理的情况下可能导致器件过早失效。
故障模式揭示：通过在特定条件下运行半导体器件，HTRB试验揭示了由时间和应力引起的电气故障模式。
3.试验条件
电压与温度：根据AEC-Q101标准，测试在最大直流反向电压下进行1000小时，同时控制结温以防止热失控，环境温度TA可以根据需要从Ta(MAX)向下调整。
批量测试：标准要求对3批*77颗器件进行同时测试，以确保数据的代表性和统计意义。
实时监控：测试过程中需实时监控漏电流，并在老化前后测量器件的静态参数。
4.试验前的电性能参数
参数测量：试验前后需对器件进行基本的静态参数测量，确保所有性能参数符合用户零件规范的要求。
5.失效判定标准
性能参数：器件在试验后应继续符合用户零件规范中定义的性能参数要求。
参数变化：试验后的电性能参数变化应保持在初始值的±20%以内。
泄漏电流：允许的泄漏电流不超过试验前初始值的5倍。
物理损坏：器件外观不得出现任何由试验引起的物理损坏。
如对以上试验有任何疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
