光芯片高温寿命试验箱用于确定光电子器件、光芯片、光模块等光电器件的高温加速老化失效机理和工作寿命。
技术参数：
试验条件：
试验温度：（85±2）℃（组件或模块），或（70±2）℃（组件或模块），或（175±2）℃（光电二极管）；
工作偏置：正常工作偏置（不限于）；
试验时间：5000h(不限于）。
试验程序：
按以下程序进行试验：
a)试验前应对试样的主要光电特性进行测试；
b)将试样放进高温试验箱内，并使试样处于工作状态；
c)按照试验条件开始试验，记录起始时间、试验温度和试样数量；
d)使用监视仪器，从试验开始到结束监视试验温度和工作偏置，以保证全部试样按条件施加应力；
e)在中间测试时将样品从高温寿命试验箱取出，测试完成后放回高温寿命试验箱继续进行试验。
试验检测：
一般每168h在常温下测试一次光电特性。在测试前应先去掉偏置，然后冷却到室温后进行测试。
为什么要用光芯片高温寿命试验箱？
由于光芯片在工作时功率耗散非常大，多数输出的能量最终都会转化为热量，长时间运行后，发热量较大，导致周围环境温度增加；为了测试光芯片在高温环境下能否可靠运行，通常在使用前经过光芯片高温寿命试验箱进行测试。
如有光芯片高温寿命试验箱的选型疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
