半导体行业偏压湿热试验箱的设计，符合实验条件模拟了“85/85”稳态湿度寿命试验(JESD22-A101)的失效机理，即在让元件长时间承受电气性stress高温（85℃）、高湿（85%RH）环境条件，至少运行1000h，评估元件的电力和机械性性能。
相关标准：
AEC-Q101：汽车电子分立器件质量标准，适用于汽车电子元件的可靠性要求。
MIL-STD-750D：美国军用标准，规定了军用电子元件的可靠性试验方法和程序。
GJB128：中国军用标准，类似于MIL-STD-750D，适用于军用电子元件的可靠性测试。
JESD22A-101：半导体工业协会颁布的标准，用于规范半导体器件的测试方法和程序。
技术参数：
试验过程通电要求：
UHAST/AC无需加偏压，HAST/H3TRB需要加偏压，加偏压分为持续加压和循环加偏压。
1、连续通电+偏压：若发生偏置，Tj温度大于环境温度≈10℃并在器件散热低于200 mW情况下使用直流偏置持续外加偏压方式。
2、循环加偏压：在被测器件上加直流电压，频率要合适，占空比要周期。若偏置配置造成Tj温度大于环境温度10℃、使用循环偏压时，由于功耗加热容易降低水分，妨碍水分有关失效机制。对对于大多数塑料封装的微电路，用50%的占空比循环DUT偏置是最佳的。≥2 mm厚的封装的循环应力周期应为≤2小时，＜2 mm厚的封装应为≤30分钟。推荐1小时通和1小时断的循环偏置。
如有半导体行业偏压湿热试验箱的选型疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
