为了研究Flash存储器在不同温度下的性能变化的机理和温变规律，评估其空间应用的可行性，为Flash器件在空间型号任务的应用提供试验依据和改进建议。在温变规律研究中，一般会用到高低温试验箱，下面，我们来了解一下Flash存储的高低温性能擦写试验研究。
试验设备：环仪仪器 NAND Flash高低温筛选试验机
试验样品：某品牌Flash存储器件 30个
试验原理：温度循环试验是采用 GJB548 标准，1010B 条件循环 20 次，温循后在常温下测试器件电参数，从而判断温循前后器件电参数是否发生了变化。
试验过程：
1.先在-35~85 ℃的环境下进行了3个循环的高低温循环试验，每个高温和低温环境下各稳定2h;
2.然后从-35℃的低温升到95℃在 95 ℃下工作 2h;
3.接下来升温到105 ℃，并在 105 ℃的温度下连续工作 240 h。
试验过程中 FASH 不停地进行擦、编程、读，编程操作选用 0x55 和 0xAA 交替数据源。试验期间，记录下不同温度下每个芯片的坏块数、所有块中的最小块擦除时间(EraseMin)、所有块中的最大块擦除时间(EraseMax)、所有页中最小页编程时间(ProgramMin)、所有页中最大页编程时间(ProgramMax)。
试验结果：
1.30 个芯片的 EraseMin 在不同温度下的变化情况，个别芯片(2、16、18)在-35℃低温条件下擦除时间比常温时增加 72%。如下图所示。
2.芯片的 EraseMax 在不同温度下的变化情况，大部分芯片在-35 ℃低温条件下擦除时间都发生了明显增加，比常温时增加 72%。由此可得，在-35 ℃的低温情况下，块擦除时间明显增大，从常温到 105 ℃的变化过程中,擦时间也逐渐增大，但是变化量较小，约10%。如下图所示。
3.芯片的ProgramMin和 ProgramMax 在不同温度下的变化情况。随着温度的增加，芯片的页编程时间逐渐增大，基本与温度成线性关系。从-35~105℃，页编程时间增加了 15%。如下图所示。
以上就是使用NAND Flash高低温筛选试验机对Flash存储器件的试验研究，如有疑问，可以咨询环仪仪器相关技术人员。
